Инвентаризация:1742

Технические детали

  • Тип монтажа TO-247-4
  • Количество витков Through Hole
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Функция - Освещение SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
  • Внешнее покрытие контактов N-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 125A (Tc)
  • Сопротивление при 25°C 22mOhm @ 80.28A, 15V
  • Материал феррулы 483W (Tc)
  • Барьерный тип 3.6V @ 22.08mA
  • Максимальное переменное напряжение TO-247-4L
  • Диаметр - Плечо Automotive
  • Длина ремня 15V
  • Шаг Количество +19V, -8V
  • 1200 V
  • 223 nC @ 15 V
  • 6922 pF @ 1000 V
  • AEC-Q101

Сопутствующие товары


SICFET N-CH 1.2KV 115A TO247-4

Инвентаризация: 306

SICFET N-CH 1200V 63A TO247-4L

Инвентаризация: 4

1200V 40MOHM SIC MOSFET

Инвентаризация: 1298

650V 120M SIC MOSFET

Инвентаризация: 597

SIC, MOSFET, 21M, 1200V, TO-247-

Инвентаризация: 0

SIC, MOSFET, 32M, 1200V, TO-247-

Инвентаризация: 360

SIC, MOSFET, 40M, 1200V, TO-247-

Инвентаризация: 316

SIC MOS TO247-4L 22MOHM 1200V

Инвентаризация: 876

TO247-4

Инвентаризация: 0

DISCRETE

Инвентаризация: 0

Top