Инвентаризация:1541

Технические детали

  • Тип монтажа TO-247-3
  • Количество витков Through Hole
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Функция - Освещение SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
  • Внешнее покрытие контактов N-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 34A (Tc)
  • Сопротивление при 25°C 87mOhm @ 15A, 18V
  • Материал феррулы 160W (Tc)
  • Барьерный тип 4.4V @ 7mA
  • Максимальное переменное напряжение TO-247-3
  • Длина ремня 18V
  • Шаг Количество +22V, -10V
  • 1200 V
  • 57 nC @ 18 V
  • 1230 pF @ 800 V

Сопутствующие товары


SIC MOSFET 1200 V 14 MOHM M3P SE

Инвентаризация: 189

SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET ELI

Инвентаризация: 115

SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET ELI

Инвентаризация: 286

SIC MOS TO247-3L 40MOHM 1200V M3

Инвентаризация: 497

SICFET N-CH 1200V 60A TO247-3

Инвентаризация: 433

SIC MOS D2PAK-7L 22MOHM 1200V

Инвентаризация: 795

SIC MOS TO247-4L 22MOHM 1200V

Инвентаризация: 876

SILICON CARBIDE POWER MOSFET 120

Инвентаризация: 600

Top