Инвентаризация:2295

Технические детали

  • Тип монтажа TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
  • Количество витков Surface Mount
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Функция - Освещение SiCFET (Silicon Carbide)
  • Внешнее покрытие контактов N-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 58A (Tc)
  • Сопротивление при 25°C 30mOhm @ 40A, 18V
  • Материал феррулы 234W (Tc)
  • Барьерный тип 4.4V @ 20mA
  • Максимальное переменное напряжение D2PAK-7
  • Диаметр - Плечо Automotive
  • Длина ремня 18V
  • 1200 V
  • 148 nC @ 18 V
  • 3200 pF @ 800 V
  • AEC-Q101

Сопутствующие товары


SIC DISCRETE

Инвентаризация: 0

SIC MOSFET 1200 V 14 MOHM M3P SE

Инвентаризация: 501

SIC MOSFET 1200 V 22 MOHM M3S SE

Инвентаризация: 628

SIC MOSFET 1200 V 14 MOHM M3P SE

Инвентаризация: 189

SIC MOS TO247-3L 70MOHM 1200V M3

Инвентаризация: 41

SIC MOS D2PAK-7L 650V

Инвентаризация: 707

SIC MOS D2PAK-7L 650V

Инвентаризация: 800

SICFET N-CH 1200V 30A D2PAK-7

Инвентаризация: 626

SICFET N-CH 1200V 19.5A D2PAK

Инвентаризация: 424

SICFET N-CH 650V 33A H2PAK-7

Инвентаризация: 0

Top