Инвентаризация:2128

Технические детали

  • Тип монтажа TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
  • Количество витков Surface Mount
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Функция - Освещение SiCFET (Silicon Carbide)
  • Внешнее покрытие контактов N-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 72A (Tc)
  • Сопротивление при 25°C 30mOhm @ 40A, 18V
  • Материал феррулы 234W (Tc)
  • Барьерный тип 4.4V @ 20mA
  • Максимальное переменное напряжение D2PAK-7
  • Длина ремня 18V
  • Шаг Количество +22V, -10V
  • 1200 V
  • 142 nC @ 18 V
  • 3175 pF @ 800 V

Сопутствующие товары


SIC DISCRETE

Инвентаризация: 47

SIC MOSFET 1200 V 14 MOHM M3P SE

Инвентаризация: 501

SICFET N-CH 1200V 8.6A/98A D2PAK

Инвентаризация: 733

SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET ELI

Инвентаризация: 286

SIC MOS D2PAK-7L 22MOHM 1200V

Инвентаризация: 795

1200V, 75A, 7-PIN SMD, TRENCH-ST

Инвентаризация: 925

750V/23MOHM, N-OFF SIC CASCODE,

Инвентаризация: 1040

Top