- Модель продукта NTBG022N120M3S
- Бренд Sanyo Semiconductor/onsemi
- RoHS Yes
- Описание SIC MOSFET 1200 V 22 MOHM M3S SE
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:2128
Технические детали
- Тип монтажа TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
- Количество витков Surface Mount
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 175°C (TJ)
- Функция - Освещение SiCFET (Silicon Carbide)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 72A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 30mOhm @ 40A, 18V
- Материал феррулы 234W (Tc)
- Барьерный тип 4.4V @ 20mA
- Максимальное переменное напряжение D2PAK-7
- Длина ремня 18V
- Шаг Количество +22V, -10V
- 1200 V
- 142 nC @ 18 V
- 3175 pF @ 800 V