Инвентаризация:2288

Технические детали

  • Тип монтажа TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
  • Количество витков Surface Mount
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Функция - Освещение SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
  • Внешнее покрытие контактов N-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 36A (Tc)
  • Сопротивление при 25°C 87mOhm @ 15A, 18V
  • Материал феррулы 172W (Tc)
  • Барьерный тип 4.4V @ 7mA
  • Максимальное переменное напряжение D2PAK-7
  • Длина ремня 18V
  • Шаг Количество +22V, -10V
  • 1200 V
  • 57 nC @ 18 V
  • 1230 pF @ 800 V

Сопутствующие товары


SIC MOSFET N-CH 11A TO247-3

Инвентаризация: 8523

MOSFET SIC 3300 V 400 MOHM TO-24

Инвентаризация: 0

SILICON CARBIDE MOSFET, NCHANNEL

Инвентаризация: 1218

SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - E

Инвентаризация: 763

SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - E

Инвентаризация: 727

SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET ELI

Инвентаризация: 115

SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET-ELI

Инвентаризация: 722

Top