Инвентаризация:1500

Технические детали

  • Тип монтажа TO-247-4
  • Количество витков Through Hole
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение SiCFET (Silicon Carbide)
  • Внешнее покрытие контактов N-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 11A (Tc)
  • Сопротивление при 25°C 520mOhm @ 5A, 20V
  • Материал феррулы 131W (Tc)
  • Барьерный тип 2.97V @ 1mA
  • Максимальное переменное напряжение TO-247-4
  • Длина ремня 20V
  • Шаг Количество +23V, -10V
  • 3300 V
  • 37 nC @ 20 V
  • 579 pF @ 2400 V

Сопутствующие товары


SIC MOSFET N-CH 4A TO263-7

Инвентаризация: 3466

MOSFET N-CH 4500V 200MA I4PAC

Инвентаризация: 528

MOSFET N-CH 4700V 2A I5PAK

Инвентаризация: 0

MOSFET N-CH 4500V 200MA TO268

Инвентаризация: 0

MOSFET SIC 1700V 35 MOHM TO-247-

Инвентаризация: 246

SICFET N-CH 1200V 66A TO247-4

Инвентаризация: 87

MOSFET SIC 3300 V 80 MOHM TO-247

Инвентаризация: 2

SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET ELI

Инвентаризация: 115

Top