- Модель продукта NVBG070N120M3S
- Бренд Sanyo Semiconductor/onsemi
- RoHS Yes
- Описание SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET-ELI
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:2222
Технические детали
- Тип монтажа TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
- Количество витков Surface Mount
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 175°C (TJ)
- Функция - Освещение SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 36A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 87mOhm @ 15A, 18V
- Материал феррулы 172W (Tc)
- Барьерный тип 4.4V @ 7mA
- Максимальное переменное напряжение D2PAK-7
- Диаметр - Плечо Automotive
- Длина ремня 18V
- Шаг Количество +22V, -10V
- 1200 V
- 57 nC @ 18 V
- 1230 pF @ 800 V
- AEC-Q101