Инвентаризация:2263

Технические детали

  • Тип монтажа TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
  • Количество витков Surface Mount
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Функция - Освещение SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
  • Внешнее покрытие контактов N-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 77A (Tc)
  • Сопротивление при 25°C 39mOhm @ 30A, 18V
  • Материал феррулы 348W (Tc)
  • Барьерный тип 4.4V @ 15mA
  • Максимальное переменное напряжение D2PAK-7
  • Длина ремня 18V
  • Шаг Количество +22V, -10V
  • 1200 V
  • 107 nC @ 18 V
  • 2430 pF @ 800 V

Сопутствующие товары


SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - E

Инвентаризация: 788

Top