- Модель продукта NTBG030N120M3S
- Бренд Sanyo Semiconductor/onsemi
- RoHS Yes
- Описание SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - E
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:2263
Технические детали
- Тип монтажа TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
- Количество витков Surface Mount
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 175°C (TJ)
- Функция - Освещение SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 77A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 39mOhm @ 30A, 18V
- Материал феррулы 348W (Tc)
- Барьерный тип 4.4V @ 15mA
- Максимальное переменное напряжение D2PAK-7
- Длина ремня 18V
- Шаг Количество +22V, -10V
- 1200 V
- 107 nC @ 18 V
- 2430 pF @ 800 V