Инвентаризация:1500

Технические детали

  • Тип монтажа TO-247-4
  • Количество витков Through Hole
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Функция - Освещение SiCFET (Silicon Carbide)
  • Внешнее покрытие контактов N-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 100A (Tc)
  • Сопротивление при 25°C 32mOhm @ 50A, 20V
  • Материал феррулы 500W (Tc)
  • Барьерный тип 4V @ 30mA
  • Максимальное переменное напряжение TO-247-4L
  • Длина ремня 20V
  • Шаг Количество +22V, -6V
  • 1200 V
  • 265 nC @ 20 V
  • 495 pF @ 800 V

Сопутствующие товары


SICFET N-CH 1200V 100A TO247-3

Инвентаризация: 1283

SICFET N-CH 900V 73A TO247-4

Инвентаризация: 2190

1200V 40MOHM SIC MOSFET

Инвентаризация: 289

SIC DISCRETE

Инвентаризация: 57

MOSFET SIC 1200V 25A TO247-4L

Инвентаризация: 0

TRANS SJT N-CH 1200V 103A TO247

Инвентаризация: 0

SICFET N-CH 1200V 102A TO247

Инвентаризация: 313

SIC MOS TO247-4L 22MOHM 1200V

Инвентаризация: 172

1200V, 81A, 3-PIN THD, TRENCH-ST

Инвентаризация: 391

DISCRETE

Инвентаризация: 0

Top