Инвентаризация:1937

Технические детали

  • Тип монтажа TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
  • Количество витков Surface Mount
  • Крутящий момент - Винт 175°C (TJ)
  • Функция - Освещение SiCFET (Silicon Carbide)
  • Внешнее покрытие контактов N-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 70A (Tc)
  • Сопротивление при 25°C 39mOhm @ 27A, 18V
  • Материал феррулы 267W
  • Барьерный тип 5.6V @ 13.3mA
  • Максимальное переменное напряжение TO-263-7
  • Шаг Количество +22V, -4V
  • 650 V
  • 104 nC @ 18 V
  • 1526 pF @ 500 V

Сопутствующие товары


650V 25 M SIC MOSFET

Инвентаризация: 418

SILICON CARBIDE MOSFET, NCHANNEL

Инвентаризация: 1218

SILICON CARBIDE MOSFET, NCHANNEL

Инвентаризация: 431

SICFET N-CH 650V 38A TO263-7

Инвентаризация: 1189

SICFET N-CH 650V 29A TO263-7

Инвентаризация: 919

750V, 98A, 7-PIN SMD, TRENCH-STR

Инвентаризация: 387

750V, 56A, 4-PIN THD, TRENCH-STR

Инвентаризация: 462

750V, 31A, 7-PIN SMD, TRENCH-STR

Инвентаризация: 989

750V, 31A, 7-PIN SMD, TRENCH-STR

Инвентаризация: 705

1200V, 62M, 3-PIN THD, TRENCH-ST

Инвентаризация: 4744

Top