Инвентаризация:2205

Технические детали

  • Тип монтажа TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
  • Количество витков Surface Mount
  • Крутящий момент - Винт 175°C (TJ)
  • Функция - Освещение SiCFET (Silicon Carbide)
  • Внешнее покрытие контактов N-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 31A (Tj)
  • Сопротивление при 25°C 59mOhm @ 17A, 18V
  • Материал феррулы 93W
  • Барьерный тип 4.8V @ 8.89mA
  • Максимальное переменное напряжение TO-263-7L
  • Длина ремня 18V
  • Шаг Количество +21V, -4V
  • 750 V
  • 63 nC @ 18 V
  • 1460 pF @ 500 V

Сопутствующие товары


SICFET N-CH 650V 36A TO263-7

Инвентаризация: 3950

ECOGAN, 650V 20A DFN8080K, E-MOD

Инвентаризация: 3614

SILICON CARBIDE MOSFET, PG-TO247

Инвентаризация: 88

SICFET N-CH 1.2KV 36A TO247-4

Инвентаризация: 261

650V 11A TO-252, LOW-NOISE POWER

Инвентаризация: 767

MOSFET N-CH 45V 1.6A TUMT3

Инвентаризация: 29773

SICFET N-CH 650V 29A TO263-7

Инвентаризация: 919

1200V, 36M, 3-PIN THD, TRENCH-ST

Инвентаризация: 4714

750V, 31A, 7-PIN SMD, TRENCH-STR

Инвентаризация: 989

1200V, 26A, 3-PIN THD, TRENCH-ST

Инвентаризация: 354

Top