- Модель продукта R6511END3TL1
- Бренд ROHM Semiconductor
- RoHS Yes
- Описание 650V 11A TO-252, LOW-NOISE POWER
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
Инвентаризация:2267
Технические детали
- Тип монтажа TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
- Количество витков Surface Mount
- Крутящий момент - Винт 150°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 11A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 400mOhm @ 3.8A, 10V
- Материал феррулы 124W (Tc)
- Барьерный тип 4V @ 320µA
- Максимальное переменное напряжение TO-252
- Длина ремня 10V
- Шаг Количество ±20V
- 650 V
- 32 nC @ 10 V
- 670 pF @ 25 V
Сопутствующие товары
650V 9A TO-252, LOW-NOISE POWER
Инвентаризация: 4440
HIGH-SPEED SWITCHING, NCH 650V 1
Инвентаризация: 2495
750V, 31A, 7-PIN SMD, TRENCH-STR
Инвентаризация: 705
MOSFET N CH 650V 11A DPAK
Инвентаризация: 4162
