Инвентаризация:5424

Технические детали

  • Тип монтажа TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
  • Количество витков Surface Mount
  • Крутящий момент - Винт 175°C (TJ)
  • Функция - Освещение SiCFET (Silicon Carbide)
  • Внешнее покрытие контактов N-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 17A (Tc)
  • Сопротивление при 25°C 208mOhm @ 5A, 18V
  • Материал феррулы 100W
  • Барьерный тип 5.6V @ 2.5mA
  • Максимальное переменное напряжение TO-263-7
  • Шаг Количество +22V, -4V
  • 1200 V
  • 42 nC @ 18 V
  • 398 pF @ 800 V

Сопутствующие товары


SICFET N-CH 1200V 17A TO263-7

Инвентаризация: 3311

SIC MOSFET N-CH 11A TO263-7

Инвентаризация: 3651

SICFET N-CH 1700V 9.8A TO263-7

Инвентаризация: 1525

SICFET N-CH 1.2KV 26A TO263

Инвентаризация: 1656

1200V, 10A, THD, SILICON-CARBIDE

Инвентаризация: 130

SICFET N-CH 1200V 56A TO263-7

Инвентаризация: 998

SICFET N-CH 1200V 23A TO263-7

Инвентаризация: 1905

750V, 56A, 4-PIN THD, TRENCH-STR

Инвентаризация: 462

1200V, 40A, 7-PIN SMD, TRENCH-ST

Инвентаризация: 796

SICFET N-CH 1200V 28.8A D2PAK-7

Инвентаризация: 4919

Top