Инвентаризация:1630

Технические детали

  • Тип монтажа TO-247-3
  • Количество витков Through Hole
  • Крутящий момент - Винт 175°C
  • Функция - Освещение SiCFET (Silicon Carbide)
  • Внешнее покрытие контактов N-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 10A (Tc)
  • Сопротивление при 25°C 585mOhm @ 3A, 18V
  • Материал феррулы 85W (Tc)
  • Барьерный тип 4V @ 900µA
  • Максимальное переменное напряжение TO-247N
  • Длина ремня 18V
  • Шаг Количество +22V, -6V
  • 1200 V
  • 27 nC @ 18 V
  • 463 pF @ 800 V

Сопутствующие товары


SICFET N-CH 1200V 7.6A TO247-3

Инвентаризация: 3172

SICFET N-CH 1200V 40A TO247N

Инвентаризация: 4942

1200V, 10A, THD, SILICON-CARBIDE

Инвентаризация: 440

750V, 56A, 3-PIN THD, TRENCH-STR

Инвентаризация: 480

750V, 31A, 7-PIN SMD, TRENCH-STR

Инвентаризация: 705

1200V, 24A, 7-PIN SMD, TRENCH-ST

Инвентаризация: 660

MOSFET N-CH 1200V 12A TO247

Инвентаризация: 597

Top