Инвентаризация:1740

Технические детали

  • Тип монтажа TO-247-4
  • Количество витков Through Hole
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Функция - Освещение SiCFET (Silicon Carbide)
  • Внешнее покрытие контактов N-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 38A (Tc)
  • Сопротивление при 25°C 85mOhm @ 15A, 18V
  • Материал феррулы 148W (Tc)
  • Барьерный тип 4.3V @ 5mA
  • Максимальное переменное напряжение TO-247-4L
  • Диаметр - Плечо Automotive
  • Длина ремня 15V, 18V
  • Шаг Количество +22V, -8V
  • 650 V
  • 61 nC @ 18 V
  • 1196 pF @ 325 V
  • AEC-Q101

Сопутствующие товары


SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - 5

Инвентаризация: 510

MOSFET N-CH 30V DPAK-3

Инвентаризация: 94

SIC MOS TO247-4L 40MOHM 1200V M3

Инвентаризация: 383

Top