- Модель продукта NVD4C05NT4G
- Бренд Sanyo Semiconductor/onsemi
- RoHS Yes
- Описание MOSFET N-CH 30V DPAK-3
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:1594
Технические детали
- Тип монтажа TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
- Количество витков Surface Mount
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 175°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 22A (Ta), 90A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 4.1mOhm @ 45A, 10V
- Материал феррулы 3.5W (Ta), 57W (Tc)
- Барьерный тип 2.2V @ 250µA
- Максимальное переменное напряжение DPAK
- Диаметр - Плечо Automotive
- Длина ремня 4.5V, 10V
- Шаг Количество ±20V
- 30 V
- 14 nC @ 4.5 V
- 1950 pF @ 25 V
- AEC-Q101