- Модель продукта STP80N600K6
- Бренд STMicroelectronics
- RoHS Yes
- Описание N-CHANNEL 800 V, 515 MOHM TYP.,
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:1520
Технические детали
- Тип монтажа TO-220-3
- Количество витков Through Hole
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
- Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 7A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 600mOhm @ 3A, 10V
- Материал феррулы 86W (Tc)
- Барьерный тип 4V @ 100µA
- Максимальное переменное напряжение TO-220
- Длина ремня 10V
- Шаг Количество ±30V
- 800 V
- 10.7 nC @ 10 V
- 540 pF @ 400 V
Сопутствующие товары
RF MOSFET JFET 15V SOT23-3
Инвентаризация: 49413
AUTOMOTIVE-GRADE SILICON CARBIDE
Инвентаризация: 0
N-CHANNEL 650 V, 19.9 MOHM TYP.,
Инвентаризация: 64
