Инвентаризация:1950

Технические детали

  • Тип монтажа TO-247-4
  • Количество витков Through Hole
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Функция - Освещение SiCFET (Silicon Carbide)
  • Внешнее покрытие контактов N-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 47A (Tc)
  • Сопротивление при 25°C 70mOhm @ 20A, 18V
  • Материал феррулы 176W (Tc)
  • Барьерный тип 4.3V @ 6.5mA
  • Максимальное переменное напряжение TO-247-4L
  • Диаметр - Плечо Automotive
  • Длина ремня 15V, 18V
  • 650 V
  • 74 nC @ 18 V
  • 1473 pF @ 325 V
  • AEC-Q101

Сопутствующие товары


SIC MOSFET 1200 V 14 MOHM M3P SE

Инвентаризация: 501

SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - 4

Инвентаризация: 735

SIC MOSFET 1200 V 14 MOHM M3P SE

Инвентаризация: 189

SIC MOS TO247-4L 650V

Инвентаризация: 660

SIC MOS TO247-3L 650V

Инвентаризация: 178

SIC MOS TO247-3L 650V

Инвентаризация: 515

SIC MOS D2PAK-7L 650V

Инвентаризация: 800

SIC MOS D2PAK-7L 650V

Инвентаризация: 1590

SIC MOS TO247-4L 750V

Инвентаризация: 242

SIC MOS TO247-4L 650V

Инвентаризация: 444

Top