Инвентаризация:2095

Технические детали

  • Тип монтажа TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
  • Количество витков Surface Mount
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Функция - Освещение SiCFET (Silicon Carbide)
  • Внешнее покрытие контактов N-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 60A (Tc)
  • Сопротивление при 25°C 56mOhm @ 35A, 20V
  • Материал феррулы 357W (Tc)
  • Барьерный тип 4.3V @ 10mA
  • Максимальное переменное напряжение D2PAK-7
  • Длина ремня 20V
  • Шаг Количество +25V, -15V
  • 1200 V
  • 106 nC @ 20 V
  • 1789 pF @ 800 V

Сопутствующие товары


SIC MOSFET N-CH 96A TO263-7

Инвентаризация: 18

SICFET N-CH 1.2KV 47A TO263

Инвентаризация: 68

SICFET N-CH 900V 9.8A/112A D2PAK

Инвентаризация: 1035

SICFET N-CH 1200V 8.6A/98A D2PAK

Инвентаризация: 733

SIC MOSFET 1200 V 22 MOHM M3S SE

Инвентаризация: 628

SICFET N-CH 1200V 60A TO247-3

Инвентаризация: 433

TRANS SJT N-CH 1200V 60A D2PAK-7

Инвентаризация: 1985

SICFET N-CH 1200V 17.3A TO247

Инвентаризация: 413

SICFET N-CH 1200V 60A H2PAK-7

Инвентаризация: 0

Top