Технические детали

• Крутящий момент - Винт -55°C ~ 175°C (TJ)
• Функция - Освещение SiCFET (Silicon Carbide)
• Внешнее покрытие контактов N-Channel
• Толщина внешнего контактного покрытия 88A (Tc)
• Сопротивление при 25°C 22mOhm @ 40A, 20V
• Материал феррулы 278W (Tc)
• Барьерный тип 2.7V @ 4.5mA (Typ)
• Максимальное переменное напряжение SOT-227
• Длина ремня 20V
• Шаг Количество +23V, -10V
• 1200 V
• 249 nC @ 20 V
• 5280 pF @ 1000 V