Инвентаризация:1555

Технические детали

  • Тип монтажа TO-247-4
  • Количество витков Through Hole
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Функция - Освещение SiCFET (Silicon Carbide)
  • Внешнее покрытие контактов N-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 63A (Tc)
  • Сопротивление при 25°C 52mOhm @ 40A, 20V
  • Материал феррулы 322W (Tc)
  • Барьерный тип 4V @ 10mA
  • Максимальное переменное напряжение TO-247-4
  • Длина ремня 20V
  • Шаг Количество +25V, -10V
  • 1200 V
  • 118 nC @ 20 V
  • 3192 pF @ 1000 V

Сопутствующие товары


SICFET N-CH 1200V 63A TO247-4L

Инвентаризация: 4

1200V 40MOHM SIC MOSFET

Инвентаризация: 1298

SIC MOSFET N-CH 90A TO247-4

Инвентаризация: 1603

SIC MOSFET 1200V 40M TO-247-3L

Инвентаризация: 61

SIC MOSFET 1200V 80M TO-247-4L

Инвентаризация: 13

SIC MOSFET 1200V 80M TO-247-3L

Инвентаризация: 1399

SIC DISCRETE

Инвентаризация: 7

SICFET N-CH 1200V 66A TO247-4

Инвентаризация: 87

SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET ELI

Инвентаризация: 115

1200V/30MOHM SIC STACKED FAST CA

Инвентаризация: 1372

Top