- Модель продукта GP2T080A120U
- Бренд SemiQ
- RoHS Yes
- Описание SIC MOSFET 1200V 80M TO-247-3L
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Технические детали
- Тип монтажа TO-247-3
- Количество витков Through Hole
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 175°C (TJ)
- Функция - Освещение SiCFET (Silicon Carbide)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 35A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 100mOhm @ 20A, 20V
- Материал феррулы 188W (Tc)
- Барьерный тип 4V @ 10mA
- Максимальное переменное напряжение TO-247-3
- Длина ремня 20V
- Шаг Количество +25V, -10V
- 1200 V
- 58 nC @ 20 V
- 1377 pF @ 1000 V
Сопутствующие товары
N-CHANNEL SILICON CARBIDE POWER
Инвентаризация: 92
SICFET N-CH 1200V 36A TO247-3
Инвентаризация: 1585
SIC MOSFET N-CH 41A TO247-3
Инвентаризация: 3429
SIC MOSFET 1200V 40M TO-247-3L
Инвентаризация: 61
SICFET N-CH 1.2KV 36A TO247-4
Инвентаризация: 261
SICFET N-CH 1200V 22A TO247-3
Инвентаризация: 1432
SICFET N-CH 650V 30A TO247N
Инвентаризация: 1546
N-CHANNEL MOSFET,TO-247AB
Инвентаризация: 306
