Инвентаризация:1592

Технические детали

  • Тип монтажа TO-247-3
  • Количество витков Through Hole
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение SiCFET (Silicon Carbide)
  • Внешнее покрытие контактов N-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 36A (Tc)
  • Сопротивление при 25°C 98mOhm @ 20A, 20V
  • Материал феррулы 192W (Tc)
  • Барьерный тип 4V @ 5mA
  • Максимальное переменное напряжение TO-247-3
  • Длина ремня 20V
  • Шаг Количество +25V, -10V
  • 1200 V
  • 79 nC @ 20 V
  • 1475 pF @ 1000 V

Сопутствующие товары


N-CHANNEL SILICON CARBIDE POWER

Инвентаризация: 17

N-CHANNEL SILICON CARBIDE POWER

Инвентаризация: 50

SICFET N-CH 1200V 30A TO247-3

Инвентаризация: 992

SIC MOSFET N-CH 11A TO247-3

Инвентаризация: 8523

SIC MOSFET N-CH 41A TO247-3

Инвентаризация: 3429

SIC MOSFET 1200V 80M TO-247-3L

Инвентаризация: 1399

SICFET N-CH 1.2KV 36A TO247-4

Инвентаризация: 261

SIC MOSFET, 1200V 50MOHM, TO-247

Инвентаризация: 0

SICFET N-CH 1200V 17A TO247-3

Инвентаризация: 335

1200V, 62M, 3-PIN THD, TRENCH-ST

Инвентаризация: 4744

Top