- Модель продукта AS1M040120T
- Бренд Anbon Semiconductor
- RoHS Yes
- Описание N-CHANNEL SILICON CARBIDE POWER
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:1517
Технические детали
- Тип монтажа TO-247-4
- Количество витков Through Hole
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
- Функция - Освещение SiCFET (Silicon Carbide)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 60A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 55mOhm @ 40A, 20V
- Материал феррулы 330W (Tc)
- Барьерный тип 4V @ 10mA
- Максимальное переменное напряжение TO-247-4
- Длина ремня 20V
- Шаг Количество +25V, -10V
- 1200 V
- 142 nC @ 20 V
- 2946 pF @ 1000 V
Сопутствующие товары
N-CHANNEL SILICON CARBIDE POWER
Инвентаризация: 124
N-CHANNEL SILICON CARBIDE POWER
Инвентаризация: 92
N-CHANNEL SILICON CARBIDE POWER
Инвентаризация: 50
SIC MOSFET N-CH 90A TO247-4
Инвентаризация: 1603
1200V, 36M, 4-PIN THD, TRENCH-ST
Инвентаризация: 4781
