Инвентаризация:1624

Технические детали

  • Тип монтажа TO-247-3
  • Количество витков Through Hole
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение SiCFET (Silicon Carbide)
  • Внешнее покрытие контактов N-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 90A (Tc)
  • Сопротивление при 25°C 34mOhm @ 50A, 20V
  • Материал феррулы 463W (Tc)
  • Барьерный тип 4V @ 15mA
  • Максимальное переменное напряжение TO-247-3
  • Длина ремня 20V
  • Шаг Количество +25V, -10V
  • 1200 V
  • 195 nC @ 20 V
  • 3600 pF @ 1000 V

Сопутствующие товары


MOSFET N-CH 1000V 30A T-MAX

Инвентаризация: 59

SICFET N-CH 1200V 90A TO247-3

Инвентаризация: 363

SICFET N-CH 1200V 100A TO247-3

Инвентаризация: 1283

SIC MOSFET N-CH 90A TO247-4

Инвентаризация: 1603

SIC DISCRETE

Инвентаризация: 259

SICFET N-CH 1.2KV 103A TO247-3

Инвентаризация: 119

650V 47A TO-247, LOW-NOISE POWER

Инвентаризация: 370

EF SERIES POWER MOSFET WITH FAST

Инвентаризация: 386

Top