- Модель продукта IV1Q12050T3
- Бренд Inventchip Technology
- RoHS Yes
- Описание SIC MOSFET, 1200V 50MOHM, TO-247
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Технические детали
- Тип монтажа TO-247-3
- Количество витков Through Hole
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 175°C (TJ)
- Функция - Освещение SiCFET (Silicon Carbide)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 58A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 65mOhm @ 20A, 20V
- Материал феррулы 327W (Tc)
- Барьерный тип 3.2V @ 6mA
- Максимальное переменное напряжение TO-247-3
- Длина ремня 20V
- Шаг Количество +20V, -5V
- 1200 V
- 120 nC @ 20 V
- 2770 pF @ 800 V
Сопутствующие товары
N-CHANNEL SILICON CARBIDE POWER
Инвентаризация: 92
N-CHANNEL SILICON CARBIDE POWER
Инвентаризация: 50
SIC MOSFET N-CH 41A TO247-3
Инвентаризация: 3429
SIC MOSFET 1200V 40M TO-247-3L
Инвентаризация: 61
SIC MOSFET 1200V 80M TO-247-3L
Инвентаризация: 1399
SIC MOSFET, 1200V 160MOHM, TO-24
Инвентаризация: 106
SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET ELI
Инвентаризация: 286
SICFET N-CH 1200V 60A TO247-3
Инвентаризация: 738
SICFET N-CH 1200V 55A TO247N
Инвентаризация: 1584
