- Модель продукта IV1Q12160T4
- Бренд Inventchip Technology
- RoHS Yes
- Описание SIC MOSFET, 1200V 160MOHM, TO-24
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:1606
Технические детали
- Тип монтажа TO-247-4
- Количество витков Through Hole
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 175°C (TJ)
- Функция - Освещение SiCFET (Silicon Carbide)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 20A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 195mOhm @ 10A, 20V
- Материал феррулы 138W (Tc)
- Барьерный тип 2.9V @ 1.9mA
- Максимальное переменное напряжение TO-247-4
- Длина ремня 20V
- Шаг Количество +20V, -5V
- 1200 V
- 43 nC @ 20 V
- 885 pF @ 800 V