Инвентаризация:1513

Технические детали

  • Тип монтажа TO-247-4
  • Количество витков Through Hole
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Функция - Освещение SiCFET (Silicon Carbide)
  • Внешнее покрытие контактов N-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 35A (Tc)
  • Сопротивление при 25°C 100mOhm @ 20A, 20V
  • Материал феррулы 188W (Tc)
  • Барьерный тип 4V @ 10mA
  • Максимальное переменное напряжение TO-247-4
  • Длина ремня 20V
  • Шаг Количество +25V, -10V
  • 1200 V
  • 61 nC @ 20 V
  • 1377 pF @ 1000 V

Сопутствующие товары


GEN 3 650V 49A SIC MOSFET

Инвентаризация: 19

SIC MOSFET N-CH 41A TO247-3

Инвентаризация: 3429

SIC MOSFET N-CH 41A TO247-4

Инвентаризация: 706

SIC 1200V 80M MOSFET SOT-227

Инвентаризация: 60

SIC MOSFET 1200V 40M TO-247-4L

Инвентаризация: 55

SIC MOSFET 1200V 80M TO-247-3L

Инвентаризация: 1399

SICFET N-CH 1.2KV 36A TO247-4

Инвентаризация: 261

SICFET N-CH 1200V 37A TO247-4

Инвентаризация: 104

Top