Инвентаризация:1500

Технические детали

  • Тип монтажа TO-247-4
  • Количество витков Through Hole
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 200°C (TJ)
  • Функция - Освещение SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
  • Внешнее покрытие контактов N-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 56A (Tc)
  • Сопротивление при 25°C 37mOhm @ 25A, 18V
  • Материал феррулы 388W (Tc)
  • Барьерный тип 4.2V @ 5mA
  • Максимальное переменное напряжение TO-247-4
  • Диаметр - Плечо Automotive
  • Длина ремня 15V, 18V
  • Шаг Количество +18V, -5V
  • 1200 V
  • 73 nC @ 18 V
  • 1990 pF @ 800 V
  • AEC-Q101

Сопутствующие товары


SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET ELI

Инвентаризация: 115

TO247-4

Инвентаризация: 0

TO247-4

Инвентаризация: 0

TO247-4

Инвентаризация: 0

TO247-4

Инвентаризация: 0

Top