- Модель продукта IMT65R048M1HXUMA1
- Бренд (Infineon Technologies)
- RoHS Yes
- Описание SILICON CARBIDE MOSFET
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
Технические детали
- Тип монтажа 8-PowerSFN
- Количество витков Surface Mount
- Функция - Освещение SiCFET (Silicon Carbide)
- Максимальное переменное напряжение PG-HSOF-8-1
- Длина ремня 18V
- 650 V
Сопутствующие товары
GAN HV
Инвентаризация: 0
SILICON CARBIDE MOSFET PG-TO263-
Инвентаризация: 923
SILICON CARBIDE MOSFET
Инвентаризация: 1934
SILICON CARBIDE MOSFET
Инвентаризация: 1998
SILICON CARBIDE MOSFET
Инвентаризация: 2000
SILICON CARBIDE MOSFET
Инвентаризация: 2000
SILICON CARBIDE MOSFET
Инвентаризация: 1965
SILICON CARBIDE MOSFET
Инвентаризация: 1804
SILICON CARBIDE MOSFET
Инвентаризация: 1965
MOSFET 650V NCH SIC TRENCH
Инвентаризация: 565
