Инвентаризация:3467

Технические детали

  • Тип монтажа 8-PowerBSFN
  • Количество витков Surface Mount
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Внешнее покрытие контактов N-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 42A (Tc)
  • Сопротивление при 25°C 56mOhm @ 16A, 10V
  • Материал феррулы 236W (Tc)
  • Барьерный тип 5V @ 250µA
  • Максимальное переменное напряжение PowerPAK®10 x 12
  • Длина ремня 10V
  • Шаг Количество ±30V
  • 600 V
  • 81 nC @ 10 V
  • 3504 pF @ 100 V

Сопутствующие товары


SILICON CARBIDE MOSFET

Инвентаризация: 1965

MOSFET N-CH 650V 46A TO263-3

Инвентаризация: 1321

MOSFET N-CH 600V 75A 8HSOF

Инвентаризация: 2240

E SERIES POWER MOSFET POWERPAK 1

Инвентаризация: 1806

E SERIES POWER MOSFET WITH FAST

Инвентаризация: 2012

GANFET N-CH 650V 25A PQFN88

Инвентаризация: 12335

Top