Инвентаризация:3402

Технические детали

  • Тип монтажа TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
  • Количество витков Surface Mount
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Функция - Освещение SiCFET (Silicon Carbide)
  • Внешнее покрытие контактов N-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 36A (Tc)
  • Сопротивление при 25°C 83mOhm @ 13A, 18V
  • Материал феррулы 181W (Tc)
  • Барьерный тип 5.7V @ 5.6mA
  • Максимальное переменное напряжение PG-TO263-7-12
  • Шаг Количество +18V, -15V
  • 1200 V
  • 34 nC @ 18 V
  • 1145 pF @ 800 V

Сопутствующие товары


1200V 40 M SIC MOSFET

Инвентаризация: 637

SICFET N-CH 1.2KV 56A TO263

Инвентаризация: 705

SICFET N-CH 1.2KV 47A TO263

Инвентаризация: 68

SICFET N-CH 1.2KV 18A TO263

Инвентаризация: 186

SICFET N-CH 1.2KV 13A TO263

Инвентаризация: 988

SIC DISCRETE

Инвентаризация: 228

SIC DISCRETE

Инвентаризация: 225

SICFET N-CH 1.2KV 36A TO247-3

Инвентаризация: 236

SICFET N-CH 1.2KV 4.7A TO247-4

Инвентаризация: 141

SIC DISCRETE

Инвентаризация: 0

Top