Инвентаризация:2488

Технические детали

  • Тип монтажа TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
  • Количество витков Surface Mount
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Функция - Освещение SiCFET (Silicon Carbide)
  • Внешнее покрытие контактов N-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 13A (Tc)
  • Сопротивление при 25°C 294mOhm @ 4A, 18V
  • Материал феррулы 83W (Tc)
  • Барьерный тип 5.7V @ 1.6mA
  • Максимальное переменное напряжение PG-TO263-7-12
  • Шаг Количество +18V, -15V
  • 1200 V
  • 9.4 nC @ 18 V
  • 312 pF @ 800 V

Сопутствующие товары


SIC_DISCRETE

Инвентаризация: 1272

SIC_DISCRETE

Инвентаризация: 1147

SICFET N-CH 1200V 17A TO263-7

Инвентаризация: 3311

SIC MOSFET N-CH 11A TO263-7

Инвентаризация: 3651

SICFET N-CH 1.2KV 26A TO263

Инвентаризация: 1656

SICFET N-CH 1.2KV 18A TO263

Инвентаризация: 186

SICFET N-CH 1.2KV 4.7A TO263

Инвентаризация: 1954

SICFET N-CH 1.2KV 19A TO247-4

Инвентаризация: 232

SICFET N-CH 1.2KV 13A TO247-4

Инвентаризация: 339

SIC DISCRETE

Инвентаризация: 47

Top