- Модель продукта IMBG120R220M1HXTMA1
- Бренд (Infineon Technologies)
- RoHS Yes
- Описание SICFET N-CH 1.2KV 13A TO263
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:2488
Технические детали
- Тип монтажа TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
- Количество витков Surface Mount
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 175°C (TJ)
- Функция - Освещение SiCFET (Silicon Carbide)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 13A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 294mOhm @ 4A, 18V
- Материал феррулы 83W (Tc)
- Барьерный тип 5.7V @ 1.6mA
- Максимальное переменное напряжение PG-TO263-7-12
- Шаг Количество +18V, -15V
- 1200 V
- 9.4 nC @ 18 V
- 312 pF @ 800 V