- Модель продукта IMZ120R350M1HXKSA1
- Бренд (Infineon Technologies)
- RoHS Yes
- Описание SICFET N-CH 1.2KV 4.7A TO247-4
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:1641
Технические детали
- Тип монтажа TO-247-4
- Количество витков Through Hole
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 175°C (TJ)
- Функция - Освещение SiCFET (Silicon Carbide)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 4.7A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 350mOhm @ 2A, 18V
- Материал феррулы 60W (Tc)
- Барьерный тип 5.7V @ 1mA
- Максимальное переменное напряжение PG-TO247-4-1
- Длина ремня 15V, 18V
- Шаг Количество +23V, -7V
- 1200 V
- 5.3 nC @ 18 V
- 182 pF @ 800 V
Сопутствующие товары
SICFET N-CH 1200V 7.2A TO263-7
Инвентаризация: 646
SICFET N-CH 1.2KV 47A TO263
Инвентаризация: 68
MOSFET N-CH 250V 25A TO220-3
Инвентаризация: 410
