Инвентаризация:4500

Технические детали

  • Тип монтажа 4-PowerTSFN
  • Количество витков Surface Mount
  • Крутящий момент - Винт -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Внешнее покрытие контактов N-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 12A (Tc)
  • Сопротивление при 25°C 225mOhm @ 4.9A, 10V
  • Материал феррулы 68W (Tc)
  • Барьерный тип 4.5V @ 240µA
  • Максимальное переменное напряжение PG-VSON-4-1
  • Длина ремня 10V
  • Шаг Количество ±20V
  • 600 V
  • 23 nC @ 10 V
  • 1015 pF @ 400 V

Сопутствующие товары


MOSFET 650V NCH SIC TRENCH

Инвентаризация: 55

MOSFET P-CH 40V 180A TO263-7

Инвентаризация: 1830

MOSFET HIGH POWER_NEW

Инвентаризация: 5100

MOSFET N-CH 600V 39A 4VSON

Инвентаризация: 368

MOSFET N CH

Инвентаризация: 3049

MOSFET N-CH 80V 32A/247A 8HSOF

Инвентаризация: 3948

MOSFET N-CH 650V 32A TO247-3-41

Инвентаризация: 240

Top