- Модель продукта G3R450MT17J
- Бренд GeneSiC Semiconductor
- RoHS Yes
- Описание SIC MOSFET N-CH 9A TO263-7
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Технические детали
- Тип монтажа TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
- Количество витков Surface Mount
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 175°C (TJ)
- Функция - Освещение SiCFET (Silicon Carbide)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 9A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 585mOhm @ 4A, 15V
- Материал феррулы 91W (Tc)
- Барьерный тип 2.7V @ 2mA
- Максимальное переменное напряжение TO-263-7
- Длина ремня 15V
- Шаг Количество ±15V
- 1700 V
- 18 nC @ 15 V
- 454 pF @ 1000 V
Сопутствующие товары
SICFET N-CH 1700V 5.3A D2PAK
Инвентаризация: 453
SIC MOSFET N-CH 3A TO263-7
Инвентаризация: 12524
SIC MOSFET N-CH 18A TO263-7
Инвентаризация: 0
1700V 160M TO-263-7 G3R SIC MOSF
Инвентаризация: 2050
SIC MOSFET N-CH 11A TO263-7
Инвентаризация: 3651
1700V 450M TO-263-7 G3R SIC MOSF
Инвентаризация: 510
SICFET N-CH 1700V 9.8A TO263-7
Инвентаризация: 1525
