- Модель продукта G3R160MT17J-TR
- Бренд GeneSiC Semiconductor
- RoHS Yes
- Описание 1700V 160M TO-263-7 G3R SIC MOSF
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Технические детали
- Тип монтажа TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
- Количество витков Surface Mount
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 175°C (TJ)
- Функция - Освещение SiCFET (Silicon Carbide)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 18A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 224mOhm @ 10A, 15V
- Материал феррулы 145W (Tc)
- Барьерный тип 2.7V @ 5mA
- Максимальное переменное напряжение TO-263-7
- Длина ремня 15V
- Шаг Количество +15V, -5V
- 1700 V
- 29 nC @ 15 V
- 854 pF @ 1000 V
Сопутствующие товары
1700V 1000M TO-263-7 G2R SIC MOS
Инвентаризация: 620
SIC MOSFET N-CH 18A TO263-7
Инвентаризация: 0
1700V 450M TO-263-7 G3R SIC MOSF
Инвентаризация: 510
SIC MOSFET N-CH 61A TO247-3
Инвентаризация: 1013
SIC MOSFET N-CH 61A TO247-4
Инвентаризация: 704
1200V 75M TO-263-7 G3R SIC MOSFE
Инвентаризация: 5968
SICFET N-CH 1700V 7.6A D2PAK-7
Инвентаризация: 7355
