- Модель продукта G3R30MT12J-TR
- Бренд GeneSiC Semiconductor
- RoHS Yes
- Описание 1200V 30M TO-263-7 G3R SIC MOSFE
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:2648
Технические детали
- Тип монтажа TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
- Количество витков Surface Mount
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 175°C (TJ)
- Функция - Освещение SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 85A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 34mOhm @ 45A, 18V
- Материал феррулы 408W (Tc)
- Барьерный тип 2.7V @ 24mA
- Максимальное переменное напряжение TO-263-7
- Длина ремня 15V, 18V
- Шаг Количество +22V, -10V
- 1200 V
- 118 nC @ 15 V
- 3863 pF @ 800 V