Инвентаризация:2259

Технические детали

  • Тип монтажа TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
  • Количество витков Surface Mount
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Функция - Освещение SiCFET (Silicon Carbide)
  • Внешнее покрытие контактов N-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 30A (Tc)
  • Сопротивление при 25°C 110mOhm @ 20A, 20V
  • Материал феррулы 179W (Tc)
  • Барьерный тип 4.3V @ 5mA
  • Максимальное переменное напряжение D2PAK-7
  • Длина ремня 20V
  • Шаг Количество +25, -15V
  • 1200 V
  • 56 nC @ 20 V
  • 1154 pF @ 800 V

Сопутствующие товары


SICFET N-CH 1200V 30A D2PAK-7

Инвентаризация: 5562

SIC MOSFET 1200 V 22 MOHM M3S SE

Инвентаризация: 628

SICFET N-CH 1200V 60A D2PAK-7

Инвентаризация: 595

MOSFET N-CH 80V 41A/351A 8HPSOF

Инвентаризация: 1888

SILICON CARBIDE MOSFET, NCHANNEL

Инвентаризация: 450

SIC MOS TO247-4L 22MOHM 1200V

Инвентаризация: 172

SICFET N-CH 1200V 30A D2PAK-7

Инвентаризация: 626

SICFET N-CH 1200V 28.8A D2PAK-7

Инвентаризация: 4919

Top