Инвентаризация:1534

Технические детали

  • Тип монтажа TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
  • Количество витков Surface Mount
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Функция - Освещение SiCFET (Silicon Carbide)
  • Внешнее покрытие контактов N-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 35A
  • Сопротивление при 25°C 100mOhm @ 15A, 20V
  • Материал феррулы 182W (Tc)
  • Барьерный тип 2.8V @ 1mA
  • Максимальное переменное напряжение D3PAK
  • Длина ремня 20V
  • Шаг Количество +23V, -10V
  • 1200 V
  • 64 nC @ 20 V
  • 838 pF @ 1000 V

Сопутствующие товары


SICFET N-CH 1200V 30A D2PAK-7

Инвентаризация: 5562

1200V 30M TO-263-7 G3R SIC MOSFE

Инвентаризация: 1148

SICFET N-CH 1.2KV 100A D3PAK

Инвентаризация: 132

MOSFET N-CH 700V D3PAK

Инвентаризация: 48

SICFET N-CH 1200V 37A TO247-3

Инвентаризация: 104

SICFET N-CH 1200V 30A D2PAK-7

Инвентаризация: 759

SICFET N-CH 1200V 28.8A D2PAK-7

Инвентаризация: 4919

Top