Инвентаризация:2559

Технические детали

  • Тип монтажа TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
  • Количество витков Surface Mount
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Функция - Освещение SiCFET (Silicon Carbide)
  • Внешнее покрытие контактов N-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 19A (Tc)
  • Сопротивление при 25°C 208mOhm @ 10A, 15V
  • Материал феррулы 128W (Tc)
  • Барьерный тип 2.7V @ 5mA (Typ)
  • Максимальное переменное напряжение TO-263-7
  • Длина ремня 15V
  • Шаг Количество +20V, -10V
  • 1200 V
  • 23 nC @ 15 V
  • 724 pF @ 800 V

Сопутствующие товары


SICFET N-CH 900V 11A D2PAK-7

Инвентаризация: 1213

650 V, 140 MOHM GALLIUM NITRIDE

Инвентаризация: 2376

Top