- Модель продукта G3R160MT12J
- Бренд GeneSiC Semiconductor
- RoHS Yes
- Описание SIC MOSFET N-CH 19A TO263-7
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Инвентаризация:2559
Технические детали
- Тип монтажа TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
- Количество витков Surface Mount
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 175°C (TJ)
- Функция - Освещение SiCFET (Silicon Carbide)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 19A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 208mOhm @ 10A, 15V
- Материал феррулы 128W (Tc)
- Барьерный тип 2.7V @ 5mA (Typ)
- Максимальное переменное напряжение TO-263-7
- Длина ремня 15V
- Шаг Количество +20V, -10V
- 1200 V
- 23 nC @ 15 V
- 724 pF @ 800 V