Инвентаризация:1607

Технические детали

  • Тип монтажа TO-247-3
  • Количество витков Through Hole
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 150°C
  • Функция - Освещение GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET)
  • Внешнее покрытие контактов N-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 34A (Tc)
  • Сопротивление при 25°C 63mOhm @ 22A, 10V
  • Материал феррулы 119W (Tc)
  • Барьерный тип 4.4V @ 700µA
  • Максимальное переменное напряжение TO-247-3
  • Длина ремня 10V
  • Шаг Количество ±20V
  • 900 V
  • 17.5 nC @ 10 V
  • 980 pF @ 600 V

Сопутствующие товары


SILICON CARBIDE MOSFET, PG-TO247

Инвентаризация: 60

RF MOSFET GAN HEMT 400V PWRFLAT

Инвентаризация: 0

650 V 95 A GAN FET

Инвентаризация: 713

GANFET N-CH 650V 46.5A TO247-3

Инвентаризация: 590

650 V 34 A GAN FET

Инвентаризация: 213

GANFET N-CH 650V 34A TO247-3

Инвентаризация: 317

GANFET N-CH 650V 36A TO247-3

Инвентаризация: 43

MOSFET 650V, 480mOhm

Инвентаризация: 0

Top