- Модель продукта TP65H050WSQA
- Бренд Transphorm
- RoHS Yes
- Описание GANFET N-CH 650V 36A TO247-3
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
-
PDF
Технические детали
- Тип монтажа TO-247-3
- Количество витков Through Hole
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 175°C (TJ)
- Функция - Освещение GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 36A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 60mOhm @ 25A, 10V
- Материал феррулы 150W (Tc)
- Барьерный тип 4.8V @ 700µA
- Максимальное переменное напряжение TO-247-3
- Диаметр - Плечо Automotive
- Длина ремня 10V
- Шаг Количество ±20V
- 650 V
- 24 nC @ 10 V
- 1000 pF @ 400 V
- AEC-Q101
Сопутствующие товары
650 V 95 A GAN FET
Инвентаризация: 713
GANFET N-CH 650V 46.5A TO247-3
Инвентаризация: 590
650 V 46.5 GAN FET
Инвентаризация: 281
650 V 34 A GAN FET
Инвентаризация: 193
GANFET N-CH 650V 34A TO247-3
Инвентаризация: 317
MOSFET 650V, 480mOhm
Инвентаризация: 0
GANFET N-CH 900V 34A TO247-3
Инвентаризация: 107
