Инвентаризация:6111

Технические детали

  • Тип монтажа Die
  • Количество витков Surface Mount
  • Крутящий момент - Винт -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение GaNFET (Gallium Nitride)
  • Внешнее покрытие контактов N-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 90A (Ta)
  • Сопротивление при 25°C 3.2mOhm @ 25A, 5V
  • Барьерный тип 2.5V @ 12mA
  • Максимальное переменное напряжение Die
  • Длина ремня 5V
  • Шаг Количество +6V, -4V
  • 100 V
  • 1500 pF @ 50 V

Сопутствующие товары


GANFET N-CH 100V 36A DIE OUTLINE

Инвентаризация: 115676

GANFET N-CH 200V 8.5A DIE

Инвентаризация: 96061

GANFET NCH 40V 60A DIE

Инвентаризация: 3456

TRANS GAN BUMPED DIE

Инвентаризация: 12647

TRANS GAN 100V .0032OHM BMP DIE

Инвентаризация: 1578

GANFET N-CH 100V DIE

Инвентаризация: 15356

TRANS GAN 100V DIE .0018OHM

Инвентаризация: 49640

100 V, 3.2 MOHM GALLIUM NITRIDE

Инвентаризация: 815

Top