Технические детали

• Тип монтажа Die
• Количество витков Surface Mount
• Скорость 2 N-Channel (Half Bridge)
• Крутящий момент - Винт -40°C ~ 150°C (TJ)
• Функция - Освещение GaNFET (Gallium Nitride)
• Внутренняя отделка контактов 60V
• Толщина внешнего контактного покрытия 9.5A, 38A
• Глубина 300pF @ 30V, 1200pF @ 30V
• Сопротивление при 25°C 11.5mOhm @ 20A, 5V, 2.7mOhm @ 20A, 5V
• Тип симистора 2.7nC @ 5V, 12nC @ 5V
• Барьерный тип 2.5V @ 3mA, 2.5V @ 12mA
• Максимальное переменное напряжение Die