Технические детали

• Тип монтажа Die
• Количество витков Surface Mount
• Скорость 2 N-Channel (Half Bridge)
• Крутящий момент - Винт -40°C ~ 150°C (TJ)
• Функция - Освещение GaNFET (Gallium Nitride)
• Внутренняя отделка контактов 80V
• Толщина внешнего контактного покрытия 9.5A, 38A
• Глубина 300pF @ 40V, 1100pF @ 40V
• Сопротивление при 25°C 14.5mOhm @ 20A, 5V, 3.4mOhm @ 20A, 5V
• Тип симистора 2.5nC @ 5V, 10nC @ 5V
• Барьерный тип 2.5V @ 2.5mA, 2.5V @ 10mA
• Максимальное переменное напряжение Die