Инвентаризация:15664

Технические детали

  • Тип монтажа 8-PowerVDFN
  • Количество витков Surface Mount
  • Скорость 2 N-Channel (Dual)
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Функция - Освещение MOSFET (Metal Oxide)
  • Смываемый 65W
  • Внутренняя отделка контактов 40V
  • Толщина внешнего контактного покрытия 20A
  • Глубина 2940pF @ 25V
  • Сопротивление при 25°C 7.6mOhm @ 17A, 10V
  • Тип симистора 36nC @ 10V
  • Барьерный тип 4V @ 30µA
  • Максимальное переменное напряжение PG-TDSON-8-4

Сопутствующие товары


GANFET N-CH 100V 1.7A DIE

Инвентаризация: 28263

Top