Инвентаризация:83958

Технические детали

  • Тип монтажа Die
  • Количество витков Surface Mount
  • Крутящий момент - Винт -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение GaNFET (Gallium Nitride)
  • Внешнее покрытие контактов N-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 500mA (Ta)
  • Сопротивление при 25°C 3.3Ohm @ 50mA, 5V
  • Барьерный тип 2.5V @ 20µA
  • Максимальное переменное напряжение Die
  • Длина ремня 5V
  • Шаг Количество +6V, -4V
  • 100 V
  • 0.044 nC @ 5 V
  • 8.4 pF @ 50 V

Сопутствующие товары


GANFET N-CH 100V 1.7A DIE

Инвентаризация: 28263

Top