- Модель продукта IMYH200R100M1HXKSA1
- Бренд (Infineon Technologies)
- RoHS Yes
- Описание SIC DISCRETE
- Классификация Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
Инвентаризация:1500
Технические детали
- Тип монтажа TO-247-4
- Количество витков Through Hole
- Крутящий момент - Винт -55°C ~ 175°C (TJ)
- Функция - Освещение SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
- Внешнее покрытие контактов N-Channel
- Толщина внешнего контактного покрытия 26A (Tc)
- Сопротивление при 25°C 131mOhm @ 10A, 18V
- Материал феррулы 217W (Tc)
- Барьерный тип 5.5V @ 6mA
- Максимальное переменное напряжение PG-TO247-4-U04
- Длина ремня 15V, 18V
- Шаг Количество +20V, -7V
- 2000 V
- 55 nC @ 18 V