Инвентаризация:1500

Технические детали

  • Тип монтажа TO-247-4
  • Количество витков Through Hole
  • Крутящий момент - Винт -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Функция - Освещение SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
  • Внешнее покрытие контактов N-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 26A (Tc)
  • Сопротивление при 25°C 131mOhm @ 10A, 18V
  • Материал феррулы 217W (Tc)
  • Барьерный тип 5.5V @ 6mA
  • Максимальное переменное напряжение PG-TO247-4-U04
  • Длина ремня 15V, 18V
  • Шаг Количество +20V, -7V
  • 2000 V
  • 55 nC @ 18 V

Сопутствующие товары


3300V 50M TO-247-4 SIC MOSFET

Инвентаризация: 0

SIC MOSFET N-CH 61A TO247-4

Инвентаризация: 704

SICFET N-CH 1.2KV 36A TO263

Инвентаризация: 1902

SIC DISCRETE

Инвентаризация: 182

SIC DISCRETE

Инвентаризация: 115

SIC DISCRETE

Инвентаризация: 179

SIC DISCRETE

Инвентаризация: 274

MOSFET SIC 1700V 35 MOHM TO-247-

Инвентаризация: 246

N-CHANNEL MOSFET,TO-247AB

Инвентаризация: 306

Top