Инвентаризация:1502

Технические детали

  • Тип монтажа SOT-227-4, miniBLOC
  • Количество витков Chassis Mount
  • Крутящий момент - Винт -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Функция - Освещение SiCFET (Silicon Carbide)
  • Внешнее покрытие контактов N-Channel
  • Толщина внешнего контактного покрытия 90A (Tc)
  • Сопротивление при 25°C 35mOhm @ 100A, 20V
  • Барьерный тип 4V @ 36mA
  • Максимальное переменное напряжение SOT-227B
  • Длина ремня 20V
  • Шаг Количество +20V, -5V
  • 1700 V
  • 376 nC @ 20 V
  • 7340 pF @ 1000 V

Сопутствующие товары


SIC MOSFET N-CH 21A TO247-3

Инвентаризация: 1044

SIC MOSFET N-CH 124A TO247-4

Инвентаризация: 1299

SIC MOSFET N-CH 100A SOT227

Инвентаризация: 158

SIC MOSFET N-CH 61A TO247-3

Инвентаризация: 1013

SIC MOSFET N-CH 61A TO247-4

Инвентаризация: 704

SICFET N-CH 1200V 47A SOT227B

Инвентаризация: 15

SICFET N-CH 1200V 48A SOT227B

Инвентаризация: 18

Top